無機材料開発グループ

無機材料開発グループについて

1991年から開発を開始した無機材料開発グループは電子材料部直轄の開発部署として、フラットパネルディスプレイ(FPD)向けの無機材料開発を担っています。これまで透明電極IZOの創出や様々な用途向け材料開発の過程で培ってきた知識・経験を活かし、現在は薄膜トランジスタ(TFT)向けの高性能酸化物半導体材料の開発を行っています。長年の基礎検討に基づく知的財産網を有し、お客様のニーズに合致する材料を提供しています。また海外拠点も活用した迅速な技術サービス、開発パートナーとの共同取組みによる材料性能発現の本質究明、スパッタリングターゲット物性、装置面など幅広い観点での提案が可能で、お客様からも高い評価と信頼を得ております。

研究室風景

主な取り組み/研究内容 - 01 高性能な酸化物半導体材料の開発

FPDの駆動に用いられる半導体材料としては従来、アモルファスシリコン(a-Si)薄膜が用いられてきていましたが、半導体性能の重要な指標である電子移動度が小さく、FPDの高精細化、低消費電力化、狭額縁化などのニーズを満足するには不十分です。一方、これらの要求を満足する低温多結晶シリコン(LTPS)を用いたTFTは製造コストが高く、また大型化への対応が困難という課題があります。ここでIGZOに代表される酸化物を用いた半導体はスパッタリング法で成膜可能であり、電子移動度もa-Siの10倍程度を有し、LTPSの高コスト・難大型化という課題も無く、今後のFPD向け半導体において重要な役割を担うことが期待されています。
当社は独自の材料設計により、世の中およびお客様からの高度なご要望(移動度、信頼性、安定性)に応え、また量産適用性をも満足できる高性能な次世代酸化物半導体材料の開発に鋭意取り組んでいます。

大型TG
評価用TG

主な取り組み/研究内容 - 02 酸化物半導体材料の設計、製造

お客様のニーズを確認し、基礎検討で培った知見をベースに性能発現の本質を見据えた材料設計を行います。材料物性を確認しながら製造条件の最適化を行い、量産適用可能なスパッタリングターゲットをご提供します。

計算科学
計算科学による構造解析
話し合う研究者たち

主な取り組み/研究内容 - 03 酸化物半導体材料の調製(焼結)、成膜、性能評価

開発した酸化物半導体材料をスパッタリングにより成膜し、材料に応じた最適成膜条件を確立します。そのTFT性能の評価・解析を行い、次の材料設計に反映しています。

G1装置
TEG測定

アクセス

住所
〒299-0293 千葉県袖ケ浦市上泉1280番地
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