45ナノ向け半導体製造用フォトレジスト原料として、新規アダマンタン誘導体3グレードを市場投入します

当社（本社：東京都千代田区、社長：天坊　昭彦）は、これまで半導体製造用のフォトレジスト原料としてArF露光用（線幅90nm、65nm向け）のグレードを提供してまいりましたが、新たにArF液浸露光用原料（線幅45nm世代以降向け）としてアダマンタン誘導体3グレードを2008年6月18日に市場投入いたします。

近年、ArF（アルゴンフッ素）エキシマレーザーを光源とするリソグラフィープロセス※1による最先端半導体の生産が開始されました。このプロセスでは、アダマンタン誘導体を原料に用いた高性能のフォトレジスト（感光材）が使用されています。当社は、ArFフォトレジスト開発の初期段階から需要家との共同取り組みを進め、需要家のニーズに合致したアダマンタン誘導体（商品名：アダマンテート®）を開発し、1998年より提供しております。この結果、当社は、ArFフォトレジスト原料としてアダマンタン誘導体市場で約70％のシェアー※2を占めております。
また2007年10月からは、世界初の自社技術によるアダマンタン※3製造装置を稼動させ、原料からの一貫供給体制を確立いたしました。

リソグラフィープロセスは半導体を製造する重要工程の一つであり、シリコンウェハ上に回路パターン（半導体の設計図）を転写する際に用いられるプロセスです。半導体の高集積化の要求に対応すべく、より微細な回路パターンを形成することが求められています。2007年度より65nm世代の本格的量産が開始されたのに続いて、次の45nm世代は2010年度の本格的量産開始に向けて準備が進められております。45nm世代は引き続きArF（アルゴンフッ素）エキシマレーザーを光源とするリソグラフィープロセスが用いられますが、光学的な解像度をさらに上げるために露光装置の投影レンズとウェハの間を超純水で満たす「ArF液浸リソグラフィー」という技術が開発されました。本格的量産開始に向けてその特性にあったフォトレジストの開発が進められてきました。

今回の新規グレードはこの「ArF液浸リソグラフィー」用の新しいコンセプトのフォトレジスト原料に用いるために、従来のアダマンタン誘導体（商品名：アダマンテート®）を需要家のニーズに合わせて開発したものであり、2010年度からの本格的量産に先駆けて生産供給体制を整えました。既に一部需要家での評価が行われ、良好な結果を得たことから、需要拡大が見込めると判断し、上市を決定いたしました。初年度の売上げは3億円を見込んでいます。
今後はさらに32nm世代以降の微細加工に用いるフォトレジストに最適なアダマンタン系原料を開発し、順次市場に投入していく予定です。また、次世代のリソグラフィー技術として近年注目をあびているEUV向けのフォトレジスト基材についても開発を進めており、本年度中に本格的なユーザー評価を開始する予定です。

当社は、アダマンタン誘導体の耐熱性や透明性、低誘電率等の特長を活かし、フォトレジスト原料以外の用途、例えば光学・通信分野や医薬品原料分野等、様々な分野において市場開拓を推進すると共に、自社製造される原料のアダマンタンから各種誘導体までの一貫生産体制をもとに、｢世界No.1のアダマンタンおよび誘導体メーカー｣を目指します。